[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201320118046.4 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203481240U | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | O.布兰克;W.里格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 实用新型公开了一种半导体器件,该器件包括:半导体本体;半导体本体中的单元区域，其中单元区域包括至少一个沟槽场效应晶体管结构，所述结构包括：漏极区，漂移区，源极区，本体区，纵向延伸穿过源极区与本体区并进入漂移区的沟槽,其中形成沟槽使得源极区和本体区在横向上比漂移区宽，形成在沟槽中的第一场板和其上的栅极区，其中第一场板和栅极区彼此以绝缘层绝缘,栅极区与围绕的半导体本体以栅氧化物绝缘，并且第一场板与围绕的半导体本体以栅氧化物绝缘，其中沟槽底部的场氧化物比沟槽侧壁的场氧化物厚；位于半导体本体第二表面上的层间介电层；以及延伸穿过层间介电层中的接触孔并且电连接到源极区和本体区的源极金属化层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件, 其特征在于, 所述器件包括:半导体本体;所述半导体本体中的单元区域，其中所述单元区域包括至少一个沟槽场效应晶体管结构，所述结构包括： 与半导体本体的第一表面邻接的第一导电类型的漏极区（300）； 位于所述漏极区上的第一导电类型的漂移区（302）； 与半导体本体的第二表面邻接的第一导电类型的源极区（330）； 形成在所述源极区（330）与所述漂移区（302）之间的具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的本体区（325）; 纵向延伸穿过所述源极区（330）与所述本体区（325）并进入所述漂移区（302）的沟槽, 其中形成所述沟槽使得所述源极区和所述本体区在横向上比所述漂移区宽; 形成在所述沟槽中的第一场板（315）和其上的栅极区（320），其中所述第一场板（315）和所述栅极区（320）彼此以绝缘层(346)绝缘,所述栅极区(320)与围绕的半导体本体以栅氧化物(351)绝缘，并且所述第一场板（315）与围绕的半导体本体以栅氧化物（305）绝缘，其中沟槽底部的场氧化物比沟槽侧壁的场氧化物厚；位于所述半导体本体第二表面上的层间介电层；以及延伸穿过所述层间介电层中的接触孔并且电连接到所述源极区和本体区的源极金属化层（345）。
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