[实用新型]具有复合内钝化层结构的可控硅整流器件

摘要

本实用新型涉及一种具有复合内钝化层结构的可控硅整流器件，包括有：中间层单晶硅本体以及依附在中间层单晶硅本体的上掺杂层和下掺杂层组成的芯片体，上电极金属层，门极电极金属层，下电极金属层；所述芯片体两侧设有上/下双台面结构，台面上依次层叠有多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层；所述上电极金属层位于不连续的N型掺杂层的外侧，门极电极金属层位于上掺杂层的P型硼结区外侧，下电极金属层位于下掺杂层的外侧。本实用新型具优点如下：上/下双台面结构确保了器件使用过程中的高稳定性，N型掺杂层提高了器件在高温环境使用时的可靠性；在器件的电极引出端用真空蒸发技术形成金属层，从而保证了后工序封装的质量。

主权项

一种具有复合内钝化层结构的可控硅整流器件，包括有中间层单晶硅本体以及依附在中间层单晶硅本体的上掺杂层和下掺杂层组成的芯片体，上电极金属层，门极电极金属层，下电极金属层，其特征在于：所述上掺杂层包含一层P型硼结区、以及覆盖在P型硼结区上的不连续N型磷结区，下掺杂层为P型硼结区，所述芯片体两侧设有上/下双台面结构，上/下双台面结构的上台面由中间层单晶硅体与上掺杂层的P型硼结区构成，下台面由中间层单晶硅体与下掺杂层的P型硼结区构成，台面上依次层叠有多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层；所述上电极金属层位于不连续的N型掺杂层的外侧，门极电极金属层位于上掺杂层的P型硼结区外侧，下电极金属层位于下掺杂层的外侧。