[实用新型]LED发光器件有效
| 申请号： | 201320066120.2 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN203071118U | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 华斌;孙智江 | 申请（专利权）人： | 海迪科（南通）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张汉钦 |
| 地址： | 226500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种LED发光器件，包括半导体衬底，衬底上依次形成有N型GaN层、外延发光层和P型GaN层，P型GaN层的表面上的预定区域通过离子溅射或等离子轰击造成损伤，或者通过离子注入的方式改变表面掺杂，以使该预定区域内的p型GaN呈现接近绝缘的高接触电阻特性，P型GaN层上形成有透明导电层以及P型电极，P型电极与预定区域的位置相对应。与现有技术相比，本方案简化了工艺流程，节约了制作成本，以简单的工艺代替了复杂的电流阻挡层工艺，对于降低芯片成本，提高量产产能具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | led 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种LED发光器件，包括：半导体衬底，所述的衬底上依次形成有N型GaN层、外延发光层和P型GaN层，其特征在于：所述的P型GaN层的表面上的预定区域通过离子溅射或等离子轰击造成损伤，或者通过离子注入的方式改变表面掺杂，以使该预定区域内的p型GaN呈现接近绝缘的高接触电阻特性，所述的P型GaN层上形成有透明导电层以及P型电极，所述的P型电极与预定区域的位置相对应。
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