[实用新型]避免或降低晶体硅光伏组件电位诱发衰减的结构有效

专利信息
申请号: 201320057707.7 申请日: 2013-02-01
公开(公告)号: CN203086380U 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 魏慎金;陈小梅 申请(专利权)人: 常州亿晶光电科技有限公司
主分类号: H02N6/00 分类号: H02N6/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213213 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种避免或降低晶体硅光伏组件电位诱发衰减的结构,用于光伏系统,光伏系统包括由晶体硅光伏组件组成的光伏组件阵列、汇流箱和逆变器,每个光伏组件阵列均与一个汇流箱连接,各汇流箱的正极输出端并接后与逆变器的正极输入端连接,各汇流箱的负极输出端并接后与逆变器的负极输入端连接,在逆变器的正负极输入端之间或至少一个汇流箱的正负极输出端之间设置开关控制器。本实用新型简单易实现,成本低,可以有效避免和消除PID现象,提高光伏系统的利用率和光伏电站的安全。
搜索关键词: 避免 降低 晶体 硅光伏 组件 电位 诱发 衰减 结构
【主权项】:
一种避免或降低晶体硅光伏组件电位诱发衰减的结构,用于光伏系统,所述光伏系统包括由所述晶体硅光伏组件组成的光伏组件阵列、汇流箱和逆变器,每个光伏组件阵列均与一个汇流箱连接,所述各汇流箱的正极输出端并接后与逆变器的正极输入端连接,各汇流箱的负极输出端并接后与逆变器的负极输入端连接,其特征在于:在逆变器的正负极输入端之间或至少一个汇流箱的正负极输出端之间设置开关控制器。
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