[实用新型]采用低压信号控制超高压NMOS的混合型开关结构有效
| 申请号： | 201320001887.7 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN203243297U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 梁伟成 | 申请（专利权）人： | 江阴芯成光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人： | 唐纫兰;沈国安 |
| 地址： | 214434 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种采用低压信号控制超高压NMOS的混合型开关结构，所述结构包含有LDNMOS（M1）和NMOS（M2），LDNMOS（M1）的漏极（D1）接入高压信号，LDNMOS（M1）的栅极（G1）接入恒定高压信号（VCC），LDNMOS（M1）的源极（S1）与NMOS（M2）的漏极（D2）相连接，NMOS（M2）的源极（S2）接地，NMOS（M2）的栅极（G2）接入控制信号。本实用新型采用低压信号控制超高压NMOS的混合型开关结构，利用低压信号即可驱动。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 低压 信号 控制 超高压 nmos 混合 开关 结构 | ||
【主权项】：
一种采用低压信号控制超高压NMOS的混合型开关结构，其特征在于：所述结构包含有LDNMOS（M1）和NMOS（M2），LDNMOS（M1）的漏极（D1）接入高压信号，LDNMOS（M1）的栅极（G1）接入恒定高压信号（VCC），LDNMOS（M1）的源极（S1）与NMOS（M2）的漏极（D2）相连接，NMOS（M2）的源极（S2）接地， NMOS（M2）的栅极（G2）接入控制信号。
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