[发明专利]FinFET器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201310754231.7 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752224A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种FinFET器件及其制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成鳍部；在衬底以及鳍部上覆盖牺牲层；图形化牺牲层以形成空隙，空隙用于暴露出用作沟道区的部分鳍部；去除暴露出的鳍部的材料，使暴露出的鳍部的截面呈上小下大的形状；在空隙中填充介质层材料；去除部分介质层材料，保留空隙的侧壁上的部分介质层材料以形成侧墙；在空隙中的侧墙之间填充并形成栅极。本发明具有以下优点：使鳍部的侧壁倾斜以便于在覆盖介质材料层后去除位于鳍部侧壁的介质材料层，仅保留位于牺牲层的空隙侧壁的部分作为栅极的侧墙；用牺牲层遮挡住部分鳍部，而仅露出需要与形成的栅极相接触的部分鳍部，使得剩余的被遮挡的鳍部尽量不受形成侧墙等步骤的影响。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成鳍部；在所述鳍部上覆盖牺牲层；图形化所述牺牲层，在牺牲层中形成延伸方向与所述鳍部相垂直的空隙，所述空隙用于暴露出用作沟道区的部分鳍部；去除暴露出的鳍部的部分材料，使所述暴露出的鳍部的截面呈上小下大的形状；在所述空隙中填充介质层材料；去除部分介质层材料，保留空隙的侧壁上的部分介质层材料以形成侧墙；在所述空隙中的侧墙之间形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
