[发明专利]交替结构薄膜封装层界面的处理方法在审
| 申请号： | 201310753330.3 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752634A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 刘杰;刘键;冷兴龙;屈芙蓉;李超波;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种交替结构封装薄膜的生产方法，包括如下步骤生长功能层A；用等离子体对所述功能层A表面进行处理；在等离子体处理后的所述功能层A上生长功能层B；用等离子体对所述功能层B进行表面处理，形成功能层A/B交替结构的封装薄膜。本发明通过等离子体处理的方法降低了交替结构薄膜中单一功能层表面粗糙度，从而降低了用于水氧阻挡无机功能层针孔缺陷，提高了薄膜封装质量。 | ||
| 搜索关键词： | 交替 结构 薄膜 封装 界面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种交替结构封装薄膜的生产方法，其特征在于：包括如下步骤：生长功能层A;对所述功能层A进行等离子体表面处理；在等离子体处理后的所述功能层A上生长功能层B;对所述功能层B进行等离子体表面处理，形成功能层A/B交替结构的封装薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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