[发明专利]X频段低噪声放大器在审
| 申请号： | 201310747538.4 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104753470A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 申明磊;余海;朱丹 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学常熟研究院有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215513 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种X频段低噪声放大器。包括一级低噪声放大电路、两级高增益放大电路，第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器分别对应低噪声放大电路、两级高增益放大电路，各级晶体管放大器通过中间级匹配电路依次级联，各级晶体管放大器分别包括晶体管、栅极偏置电路、漏极偏置电路，所述晶体管的栅极和漏极通过偏置电路与供电端连接，所述第一级晶体管放大器栅极到地串联有电感，其余各级晶体管放大器中的栅极直接接地。本发明频率范围为9GHz~11GHz，增益大于33.9dB，噪声小于0.75dB，输入输出驻波比小于1.3，具有小型化、低噪声、高增益、低成本、高可靠性的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 频段 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种X频段低噪声放大器，其特征在于：包括一级低噪声放大电路、两级高增益放大电路，其中一级低噪声放大电路以及两级高增益放大电路采用晶体管放大器，第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器分别对应低噪声放大电路、两级高增益放大电路，各级晶体管放大器通过中间级匹配电路依次级联，各级晶体管放大器分别包括晶体管、栅极偏置电路、漏极偏置电路，所述晶体管的栅极和漏极通过偏置电路与供电端连接，所述第一级晶体管放大器栅极到地串联有电感，其余各级晶体管放大器中的栅极直接接地；信号由输入匹配电路输入到第一级晶体管放大器后，通过级间匹配电路依次经过第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器最后由输出匹配电路输出。
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