[发明专利]定义多晶硅生长方向的方法有效
| 申请号： | 201310747070.9 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103745916B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 余威 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及定义多晶硅生长方向的方法。该定义多晶硅生长方向的方法包括步骤1、在基板上形成缓冲层；步骤2、在该缓冲层上形成非晶硅薄膜；步骤3、使该非晶硅薄膜表面形成规律的非晶硅凸起部；步骤4、经由准分子镭射退火使该非晶硅薄膜形成多晶硅。本发明定义多晶硅生长方向的方法能够控制多晶硅形成时的生长方向，进而可以提高多晶硅晶粒大小。 | ||
| 搜索关键词： | 定义 多晶 生长 方向 方法 | ||
【主权项】：
一种定义多晶硅生长方向的方法，其特征在于，包括：步骤1、在基板上形成缓冲层；步骤2、在该缓冲层上形成非晶硅薄膜；步骤3、使该非晶硅薄膜表面形成多个规律的非晶硅凸起部；步骤4、经由准分子镭射退火使该非晶硅薄膜形成多晶硅；利用激光扫描进行准分子镭射退火的过程中，非晶硅薄膜受到高温，薄区的非晶硅薄膜变成完全熔融状态，非晶硅凸起部因厚度偏厚，所以处于部分熔融状态，能量偏低，非晶硅凸起部未熔融的非晶硅则作为多晶硅生长的籽晶控制多晶硅向四周生长；该步骤3包括：步骤3.1、根据欲形成的非晶硅凸起部光刻该非晶硅薄膜；步骤3.2、干法蚀刻该非晶硅薄膜；步骤3.3、剥离光阻；根据所欲定义的该步骤4中所形成的多晶硅的生长方向来预先设置所述非晶硅凸起部在该非晶硅薄膜表面的分布，通过改变非晶硅凸起部的形状和位置条件来改变多晶硅形成时的生长方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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