[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310746926.0 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103681457B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种浅沟槽隔离结构的形成方法，通过应变锗硅及其侧壁的二氧化硅作为应变隔离层填充浅沟槽，由于应变锗硅中锗的晶格常数大于硅，对MOS器件的沟道引入压应力，并根据应变锗硅中锗和硅之间4.1%的晶格差异，其大幅提高空穴和电子的迁移率，同时，由侧壁的二氧化硅层起到隔离作用；此外，本发明还与现有的体硅工艺相兼容，大大减少了改善工艺环境所带来的投资，降低了生产成本。为此，本发明在与现有工艺相兼容的基础上，在沟槽内填充应变材料以提高沟道应力，提高了CMOS器件的性能，大大减少了改善工艺环境所带来的投资，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 应变锗硅 浅沟槽隔离结构 工艺环境 侧壁 生产成本 兼容 晶格常数大于硅 空穴 二氧化硅层 填充浅沟槽 二氧化硅 隔离作用 沟道应力 晶格差异 体硅工艺 应变材料 应变隔离 迁移率 压应力 沟道 填充 投资 引入 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S01，提供衬底，在所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和刻蚀阻挡层；步骤S02，刻蚀所述刻蚀阻挡层、衬垫氧化层和衬底，以形成位于所述衬底中的浅沟槽；步骤S03，淀积应变材料以填充所述浅沟槽，并去除所述浅沟槽上端口附近的所述刻蚀阻挡层和衬垫氧化层，以暴露出所述浅沟槽上端口附近的衬底；步骤S04，于上述所形成的层叠结构上注入氧气并进行退火处理，形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
