[发明专利]MOS管及其形成方法在审
| 申请号： | 201310746415.9 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752502A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 程勇;蒲贤勇;汪铭;马千成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种MOS管及其形成方法。其中，所述MOS管的形成方法，包括提供半导体衬底；在待形成栅极的部分半导体衬底内形成开口；形成覆盖所述开口底部和侧壁的栅介质层；形成覆盖所述栅介质层的栅电极层；形成分别位于所述栅介质层、栅电极层两侧的半导体衬底内的源区和漏区。形成的MOS管的沟道区长度增加，可有效提高MOS管的性能。并且，当MOS管用作电容器时，可有效增加其电容。 | ||
| 搜索关键词： | mos 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在待形成栅极的部分半导体衬底内形成开口；形成覆盖所述开口底部和侧壁的栅介质层；形成覆盖所述栅介质层的栅电极层；形成分别位于所述栅介质层、栅电极层两侧的半导体衬底内的源区和漏区。
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