[发明专利]互连结构的形成方法在审
| 申请号： | 201310745833.6 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752327A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底内形成有第一金属层；在所述基底表面形成第一聚合物层，所述第一聚合物层的材料具有光刻胶特性；对所述第一聚合物层进行第一曝光处理；形成覆盖所述第一聚合物层的第二聚合物层；对所述第二聚合物层进行第二曝光处理；对第一曝光处理后的第一聚合物层进行第一显影处理，在第一聚合物层内形成通孔；对第二曝光处理后的第二聚合物层进行第二显影处理，在第二聚合物层内形成沟槽；形成填充满所述通孔和沟槽的第二金属层，所述第二金属层与第一金属层相连接。本发明提高了形成通孔和沟槽的位置精确度，从而避免互连结构的电阻偏离设计目标，提高了互连结构的可靠性和电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有第一金属层，所述第一金属层顶部与基底表面齐平；在所述基底表面形成第一聚合物层，所述第一聚合物层的材料具有光刻胶特性，第一聚合物层的材料在曝光区和非曝光区的溶解特性不同；对所述第一聚合物层进行第一曝光处理；形成覆盖所述第一聚合物层的第二聚合物层，所述第二聚合物层的材料具有光刻胶特性，所述第二聚合物层的材料在曝光区和非曝光区的溶解特性不同；对所述第二聚合物层进行第二曝光处理；对第一曝光处理后的第一聚合物层进行第一显影处理，在第一聚合物层内形成通孔；对第二曝光处理后的第二聚合物层进行第二显影处理，在第二聚合物层内形成沟槽；形成填充满所述通孔和沟槽的第二金属层，所述第二金属层与第一金属层相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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