[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板有效
| 申请号： | 201310745564.3 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103700698A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李婧;谢振宇;陈旭;张文余;徐达 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板，属于液晶显示领域，以提高多晶硅内载流子的迁移率。所述薄膜晶体管的制备方法，包括：M1：在基板上沉积诱导层；M2：通过刻蚀工艺，在所述诱导层中刻蚀出凹部，所述凹部边缘具有规定的形状；M3：在所述具有规定形状的凹部中沉积非晶硅层，通过晶化方法诱导非晶硅层形成多晶硅层，所述多晶硅层中的多晶硅晶粒在所述凹部边缘的限定下、垂直于凹部边缘方向排布，所述多晶硅层和所述诱导层共同形成半导体层;M4：在所述半导体层上依次沉积栅绝缘层、栅极、钝化层以及与所述半导体层连接的源极和漏极。本发明可用于薄膜晶体管的制造中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：M1：在基板上沉积诱导层；M2：通过刻蚀工艺，在所述诱导层中刻蚀出凹部，所述凹部边缘具有规定的形状；M3：在所述具有规定形状的凹部中沉积非晶硅层，通过晶化方法诱导非晶硅层形成多晶硅层，所述多晶硅层中的多晶硅晶粒在所述凹部边缘的限定下、垂直于凹部边缘方向排布，所述多晶硅层和所述诱导层共同形成半导体层；M4：在所述半导体层上依次沉积栅绝缘层、栅极、钝化层以及与所述半导体层连接的源极和漏极。
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