[发明专利]一种等离子处理装置在审
| 申请号： | 201310745000.X | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103745903A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 任知良;王明刚;王雪梅 | 申请（专利权）人： | 青岛润鑫伟业科贸有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：真空处理室；第一电极，位于所述真空处理室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，其中第一射频源大于第二射频源频率的2倍，所述第一射频电源的频率大于50MHz，所述第二射频源频率小于25MHz；非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于所述真空处理室内的与所述第一电极相对设置的位置。另外，所述非电介质材料层的电阻率范围为60欧姆/厘米到100欧姆/厘米，所述非电介质料层为圆柱形、圆台形、圆锥形、台阶形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，包括：真空处理室；第一电极，位于所述真空处理室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，其中第一射频源大于第二射频源频率的2倍，所述第一射频电源的频率大于50MHz，所述第二射频源频率小于25MHz；非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于所述真空处理室内的与所述第一电极相对设置的位置。
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