[发明专利]等离子体处理装置及其静电卡盘在审
| 申请号： | 201310744229.1 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752130A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 刘身健;吴狄 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/20 | 分类号： | H01J37/20;H01J37/32;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种静电卡盘及其所处的等离子体处理装置，所述静电卡盘包括绝缘层和位于绝缘层下方的石墨导热层，加热装置设置于所述石墨导热层下方，利用石墨材料良好的导热性能，不仅能在垂直方向快速传递热量，还能够在水平方向实现热量的快速传递。在加工加热装置时，由于制作工艺的限制，很难实现加热装置表面的完全平坦，不平坦的加热装置会造成静电卡盘加热不均匀，影响刻蚀效果。本发明通过在加热装置上方设置一层石墨导热层，利用石墨材料良好的导热性能，将热量快速的在水平方向上传递，弥补了加热装置表面不平坦对静电卡盘可能造成的温度影响，降低了加热装置的加工难度，保证了刻蚀工艺的顺利进行。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 及其 静电 卡盘 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，包括一真空反应腔，所述真空反应腔下方设置一支撑基片的静电卡盘，所述静电卡盘下方设置一基座，其特征在于：所述静电卡盘包括内部设置有直流电极的绝缘层，所述绝缘层下方设置一石墨导热层，所述石墨导热层下方设置加热装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）有限公司，未经中微半导体设备（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310744229.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
