[发明专利]一种ZnO纳米材料以及合成ZnO纳米材料的方法有效
| 申请号： | 201310744149.6 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104746119B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 汤洋;陈颉;郭逦达 | 申请（专利权）人： | 神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所 |
| 主分类号： | C25D9/08 | 分类号： | C25D9/08;B82Y40/00;B82Y30/00;C01G9/02 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人： | 李婉婉,张苗 |
| 地址： | 100011 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO纳米材料，相邻的ZnO纳米柱的平均间距为大于100nm至400nm。本发明还公开了一种合成ZnO纳米材料的方法，该方法包括在电化学沉积条件下，将含有锌源前驱体以及选择性含有的氧源的溶液与生长基底接触，以在所述生长基底上制得ZnO纳米结构阵列，其中，所述含有锌源前驱体以及选择性含有的氧源的溶液中还含有铵盐，所述铵盐与锌源前驱体的摩尔比为M，所述材料的ZnO纳米柱平均间距为L nm，所述M与L之间成正比，并且所述M与L之比为0.14‑0.7。本发明采用电化学沉积法制备纳米结构材料，通过在含有锌源前驱体的溶液中加入铵盐，成功操控ZnO纳米柱平均间距和纳米结构阵列的密度，并提高了得到的ZnO纳米柱的光学质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 材料 以及 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种合成ZnO纳米材料的方法，该方法包括：在电化学沉积条件下，将含有锌源前驱体以及选择性含有的氧源的溶液与生长基底接触，以在所述生长基底上制得ZnO纳米结构阵列，其特征在于，所述含有锌源前驱体以及选择性含有的氧源的溶液中还含有铵盐，所述铵盐与锌源前驱体的摩尔比为M，所述材料的ZnO纳米柱平均间距为L nm，所述M与L之间成正比，并且所述M与L之比为0.14‑0.7。
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