[发明专利]一种具有STI结构的半导体器件及制备方法

摘要

本发明提供了一种具有STI结构的半导体器件及制备方法，本发明在形成STI结构的同时，还在STI结构内形成反射墙，在对本发明制备完成具有STI结构的半导体器件进行后续的光刻工艺时，该反射墙可很好阻挡光线反射至光刻胶造成过度曝光，保证了光刻胶始终具有良好的形貌，进而制备出具有理想形貌的器件；同时无需采用抗反射层来辅助光刻，减少了生产成本。

主权项

一种STI结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底的上表面上按照自下而上的顺序依次形成有刻蚀阻挡层和硬掩膜层；进行图案化工艺，在所述硬掩膜层的表面形成具有STI图形和反射墙图形的光刻胶；继续以所述光刻胶为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层至所述刻蚀阻挡层的上表面，移除所述光刻胶后，于剩余硬掩膜层中形成STI图形和反射墙图形；以所述剩余硬掩膜层为掩膜刻蚀形成STI结构及反射墙结构，并移除衬底上方剩余的硬掩膜层和剩余的刻蚀阻挡层。