[发明专利]一种超低比导通电阻的横向高压器件

摘要

本发明涉及半导体功率器件技术领域，涉及一种超低比导通电阻的横向高压器件。本发明的超低比导通电阻的横向高压器件在N型漂移区中引入了高浓度的N型掺杂条为开态电流提供低阻通道，在介质槽中引入体场板辅助耗尽N型漂移区和N型掺杂条，提高器件的击穿电压。本发明的有益效果为，具有导通电阻低、耐压高和版图面积小的优点，同时还降低了工艺难度和成本。本发明尤其适用于超低比导通电阻的横向高压器件。

主权项

一种超低比导通电阻的横向高压器件，包括P型衬底(1)上和设置在P型衬底(1)上端面的N型漂移区（31），所述N型漂移区（31）中设置有元胞结构（61）和终端结构（62），所述元胞结构（61）包括P型体区（41），所述P型体区（41）中包括相互独立的第一N型重掺杂区（32）和第一P型重掺杂区（42），所述P型体区（41）上端面设置有源极金属（52）和栅氧化层（21），所述源极金属（52）和栅氧化层（21）之间通过介质层（22）隔离，所述栅氧化层（21）上端面设置有多晶硅栅电极（51）；所述终端结构（62）包括介质槽（2）和第二N型重掺杂区（33），所述介质槽（2）分别与元胞结构（61）和第二N型重掺杂区（33）连接，所述第二N型重掺杂区（33）上端面设置有漏极金属（53），所述漏极金属（53）和栅氧化层（21）之间通过介质层（22）隔离，其特征在于，所述元胞结构（61）还包括第一N型掺杂条（34），所述第一N型掺杂条（34）与介质槽（2）的侧面和栅氧化层（21）的底部连接，所述终端结构（62）还包括体场板（54），所述多晶硅栅电极（51）和栅氧化层（21）延伸到介质槽（2）上端面，所述体场板（54）与多晶硅栅电极（51）和栅氧化层（21）连接后延伸入介质槽（2）中。