[发明专利]一种制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，根据本发明的方法提出了采用两步工艺以使金属栅极沟槽中的金属钨电极层和位于金属栅极沟槽侧壁的金属薄膜堆层凹陷，第一步去除位于金属栅极沟槽侧壁的覆盖层、阻挡层和Ｐ型功函数金属层；第二步回刻蚀金属钨电极层和去除位于金属栅极沟槽侧壁的Ｎ型功函数金属层。根据本发明的方法还提出了采用三步工艺以使金属栅极沟槽中的金属钨电极层和位于金属栅极沟槽侧壁的金属薄膜堆层凹陷，第一步去除位于金属栅极沟槽侧壁的Ｐ型功函数金属层；第二步去除位于金属栅极沟槽侧壁的覆盖层、阻挡层和Ｎ型功函数金属层；第三步回刻蚀金属钨电极层。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域包括虚拟栅极，所述第二区域包括虚拟栅极；去除所述第一区域中的虚拟栅极和所述第二区域中的虚拟栅极，以在所述第一区域中形成第一沟槽，在所述第二区域中形成第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部及侧壁上依次沉积形成高K介电层、覆盖层、阻挡层和P型功函数金属层；在所述P型功函数金属层上形成牺牲层；回刻蚀去除部分的位于所述第一沟槽和所述第二沟槽顶部附近的所述牺牲层、所述P型功函数金属层、所述阻挡层和所述覆盖层，以露出部分所述高K介电层；去除位于第二沟槽中的所述牺牲层和所述P型功函数金属层以露出所述阻挡层；去除位于所述第一沟槽中的所述牺牲层，以露出所述P型功函数金属层；在露出的所述第一沟槽和第二沟槽的底部和侧壁上依次沉积形成N型功函数金属层和金属电极层；执行平坦化工艺；回刻蚀去除位于所述第一沟槽和所述第二沟槽顶部侧墙上的所述N型功函数金属层和所述金属电极层；在所述半导体衬底上沉积形成接触孔刻蚀停止层。