[发明专利]一种硅通孔的测试结构在审
| 申请号： | 201310743147.5 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752406A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 包小燕;葛洪涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅通孔的测试结构，包括：半导体衬底；硅通孔，部分嵌于所述半导体衬底内；导电材料层，位于所述半导体衬底上方、所述硅通孔的外侧并与所述硅通孔相连接；其中，所述硅通孔以及所述导电材料层构成电容测试结构。本发明提供了一种晶圆可接受测试（WAT）的测试结构，用硅通孔，硅通孔隔离层以及多晶硅来形成电容结构，通过测试该电容结构的电容值和电容的漏电，来（1）推算TSV隔离层的电性厚度，（2）测试TSV的漏电流大小。所述测试结构不仅有助于侦测TSV隔离层的隔绝能力，而且可以帮助出现问题时的PFA（物理失效分析）定位。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种硅通孔的测试结构，包括：半导体衬底；硅通孔，部分嵌于所述半导体衬底内；导电材料层，位于所述半导体衬底上方、所述硅通孔的外侧并与所述硅通孔相连接；其中，所述硅通孔以及所述导电材料层构成电容测试结构。
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