[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底内具有多个第一金属层，且所述第一金属层顶部与基底表面齐平；在所述基底表面形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层内形成多个通孔；形成填充满所述通孔的聚合物层，所述聚合物层还覆盖剩余的层间介质层表面；对所述聚合物层进行曝光显影工艺，在聚合物层内形成凹槽，所述凹槽包括沟槽和位于沟槽底部的通孔；形成填充满所述凹槽的第二金属层，且所述第二金属层与第一金属层相连接；去除所述聚合物层，形成空气间隙。本发明可以形成具有较大特征尺寸的空气间隙，降低半导体器件的有效k值，改善RC延迟效应，提高半导体器件的运行速度。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有第一金属层，且所述第一金属层顶部与基底表面齐平；在所述基底表面形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层内形成通孔；形成填充满所述通孔的聚合物层，所述聚合物层还覆盖剩余的层间介质层表面，且所述聚合物层的材料具有光刻胶特性，聚合物层的材料在曝光区和非曝光区的溶解特性不同；对所述聚合物层进行曝光显影工艺，在聚合物层内形成凹槽，所述凹槽包括沟槽和位于沟槽底部的通孔；形成填充满所述凹槽的第二金属层，且所述第二金属层与第一金属层相连接；其中，在形成凹槽之后、形成第二金属层之前，还包括步骤：对所述聚合物层进行退火处理，将聚合物层转化为氧化物层；采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除相邻第二金属层之间的氧化物层，形成空气间隙。