[发明专利]一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310738102.9 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN103803963A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 梁迪飞;王亮;杨宏伟;关梦然;陈良;谢建良;邓龙江 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C04B35/30 分类号: C04B35/30;C04B35/622
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 张杨
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法,涉及电子材料。该材料包括主成份配方和掺杂成份,主成份配方为:65wt%≤Fe2O3≤70wt%,14wt%≤ZnO≤18wt%,13wt%≤NiO≤16wt%,0wt%<CuO≤4.5wt%;掺杂成份为:0<Co2O3≤0.6wt%,0<Bi2O3≤4wt%。其制备方法采用普通氧化物制备法,在1030℃~1070℃预烧,930℃~950℃烧结。工艺流程简单、无污染且适于大批量生产。本发明能制备出的铁氧体材料,烧结温度低于960℃的基础上,不仅具有高的磁导率,而且具有低的磁损耗,其中在13.56MHz具有当磁导率实部μ′为170左右时,磁导率虚部μ″为2以下。由于优质的高频特性,可在EMI、SMD、MLCI等领域广泛应用。
搜索关键词: 一种 nicuzn 铁氧体 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种NiCuZn铁氧体材料,包括主成份配方和掺杂成份,其特征在于:主成份配方质量百分比为:65wt%≤Fe2O3≤70wt%,14wt%≤ZnO≤18wt%,13wt%≤NiO≤16wt%,0wt%<CuO≤4.5wt%;掺杂成份占主成份质量百分比为:0<Co2O3≤0.6wt%;0<Bi2O3≤4wt%。
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