[发明专利]钯掺杂二氧化锡包覆碳纳米管及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310737096.5 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103713016A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘善堂;胡清华;刘欢欢 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用溶胶凝胶法制备的钯掺杂二氧化锡包覆碳纳米管。结构为掺杂有钯的二氧化锡晶体（Pd/SnO2）包覆在碳纳米管的表面。采用如下步骤制备而来：将碳纳米管超声分散在超纯水中，加入五水四氯化锡前驱体再次超声分散，然后加入氯钯酸钠溶液搅拌混合均匀，调节pH值至7-9，30-200℃保存0.2-36h得到乳白色凝胶，洗涤、干燥后在200-700℃煅烧1-36h制得钯掺杂二氧化锡包覆碳纳米管。贵金属和碳纳米管的掺杂很大提高了二氧化锡基气体传感器的气敏性能和降低响应和恢复时间，且使最佳操作温度向低温移动。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化 锡包覆碳 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种钯掺杂二氧化锡包覆碳纳米管，其特征在于形态为掺杂有钯的二氧化锡晶体（Pd/SnO2）包覆在碳纳米管的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉工程大学，未经武汉工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310737096.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
