[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201310734217.0 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752203A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 赵景训 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 马廷昭 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括如下步骤（1）首先利用化学气相沉积法在薄膜晶体管的基板上沉积一层非晶硅；（2）利用准分子激光退火技术将非晶硅结晶，成为多晶硅，在结晶过程中多晶硅表面产生大量的由于激光退火结晶造成的凸起；（3）利用涂布方式在具有凸起的多晶硅上面制作平坦化层，使该平坦化层完全覆盖多晶硅的凸起；（4）对所述平坦化层进行刻蚀，当刻蚀到凸起部分时，平坦化层与凸起一起被刻蚀掉，并在所述多晶硅上留下剩余平坦化层与剩余少量凸起。采用本发明薄膜晶体管的制作方法，可大大降低ELA结晶后多晶硅的凸起高度，提高AMOLED背板的均匀性，使显示效果更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，其包括如下步骤：（1）首先利用化学气相沉积法在薄膜晶体管的基板上沉积一层非晶硅；（2）利用准分子激光退火技术将非晶硅结晶，成为多晶硅，在结晶过程中多晶硅表面产生大量的由于激光退火结晶造成的凸起；（3）利用涂布方式在具有凸起的多晶硅上面制作平坦化层，使该平坦化层完全覆盖多晶硅的凸起；（4）对所述平坦化层进行刻蚀，当刻蚀到凸起部分时，平坦化层与凸起一起被刻蚀掉，并在所述多晶硅上留下剩余平坦化层与剩余凸起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司，未经昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310734217.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：LDMOS器件的制作方法
- 下一篇：基片刻蚀方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
