[发明专利]一种高纯度二氧化硅的制备方法在审

专利信息
申请号: 201310733295.9 申请日: 2013-12-23
公开(公告)号: CN104724716A 公开(公告)日: 2015-06-24
发明(设计)人: 李刚;刘庆山 申请(专利权)人: 天津市科密欧化学试剂有限公司
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18
代理公司: 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 代理人: 李蕊
地址: 300000 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供了一种高纯度二氧化硅的制备方法,具体步骤为:(1)纯水加热至75-90℃,加入分析纯硅酸钠搅拌加热至溶解后过滤,滤液保持澄清,得硅酸钠溶液备用,其中纯水与分析纯硅酸钠的体积质量比按ml/g计为1.5-3∶1;(2)将高纯硝酸配制成50%硝酸溶液并缓慢加入到硅酸钠溶液中,同时不断搅拌使其生成颗粒细小的结晶,即二氧化硅结晶;(3)待结晶沉淀完全后停止加入硝酸,静置结晶8-15小时,加入75-90℃热水洗至结晶中氯化物检测合格后,将结晶离心甩干,装盘于100℃烘干8-12小时,再进入高温炉于900℃-1000℃灼烧8-12小时,即得;所述制备方法满足了光学领域对二氧化硅高纯度的生产需求。
搜索关键词: 一种 纯度 二氧化硅 制备 方法
【主权项】:
一种高纯度二氧化硅的制备方法,其特征在于:具体制备步骤如下:(1)纯水加热至75‑90℃,加入分析纯硅酸钠搅拌加热至溶解后过滤,滤液保持澄清,得硅酸钠溶液备用,其中纯水与分析纯硅酸钠的体积质量比按ml/g计为1.5‑3:1;(2)将高纯硝酸配制成50%硝酸溶液并缓慢加入到步骤(1)的硅酸钠溶液中,同时不断搅拌使其生成颗粒细小的结晶,即二氧化硅结晶;(3)待结晶沉淀完全后停止加入硝酸,静置结晶8‑15小时,加入75‑90℃热水洗至结晶中氯化物检测合格后,将结晶离心甩干,装盘于100℃烘干8‑12小时,再进入高温炉于900℃‑1000℃灼烧8‑12小时,即得。
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