[发明专利]一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路有效
| 申请号： | 201310733250.1 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103745973A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 付佳;赵野;郝炳贤;姜伟;杜晓伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01M10/48;H01M10/42 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及ESD技术领域，公开了一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路。其中，ESD保护器件包括：衬底、埋入层、高压N阱区、高压P阱区、低压P阱区及低压NMOS管；埋入层在衬底上；高压P阱区在埋入层上；低压P阱区在高压P阱区上；低压NMOS管在低压P阱区内；高压N阱区在高压P阱区的外部，并与埋入层接触；低压NMOS管的栅极与源极连接，并连接到高压P阱区上作为保护器件的正极；低压NMOS管的漏极与高压N阱区连接，作为保护器件的负极。本发明中的ESD保护器件的两端均可以接高电平，ESD电路中的ESD保护器件一一对应地与电池的两端连接，实现了对电池管理芯片的ESD保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 esd 保护 器件 适用于 电池 管理 芯片 电路 | ||
【主权项】：
一种ESD保护器件，其特征在于，包括：衬底、埋入层、高压N阱区、高压P阱区、低压P阱区及低压NMOS管；所述埋入层在所述衬底上；所述高压P阱区在所述埋入层上；所述低压P阱区在所述高压P阱区上；所述低压NMOS管在所述低压P阱区内；所述高压N阱区在所述高压P阱区的外部，并与所述埋入层接触；所述低压NMOS管的栅极与源极连接，并连接到所述高压P阱区上作为保护器件的正极；所述低压NMOS管的漏极与所述高压N阱区连接，作为保护器件的负极。
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