[发明专利]基片刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310730963.2 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752190B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张君 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：第一主刻蚀步骤，用于修饰掩膜形貌；第二主刻蚀步骤，用于使掩膜提前开始横向收缩，以利于形成直边三角形刻蚀形貌；第三主刻蚀步骤，用于提高刻蚀选择比，以提高刻蚀高度；过刻蚀步骤，用于调节基片形貌；其中，在掩膜开始横向收缩时停止所述第二主刻蚀步骤，同时开始进行所述第三主刻蚀步骤。本发明提供的基片刻蚀方法，其可以在获得具有理想形貌的基片的前提下，提高刻蚀高度。 | ||
| 搜索关键词： | 主刻蚀 形貌 基片刻蚀 掩膜 横向收缩 刻蚀 刻蚀选择比 直边三角形 刻蚀形貌 过刻蚀 修饰 | ||
【主权项】：
1.一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：第一主刻蚀步骤，用于修饰掩膜形貌；第二主刻蚀步骤，用于使掩膜提前开始横向收缩，以利于形成直边三角形刻蚀形貌；第三主刻蚀步骤，用于提高刻蚀选择比，以提高刻蚀高度；过刻蚀步骤，用于调节基片形貌；其中，在掩膜开始横向收缩时停止所述第二主刻蚀步骤，同时开始进行所述第三主刻蚀步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
