[发明专利]栽种山葵的方法在审

专利信息
申请号: 201310730692.0 申请日: 2013-12-26
公开(公告)号: CN104737731A 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 蔡忠良 申请(专利权)人: 蔡忠良
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00;A01G9/24
代理公司: 北京天平专利商标代理有限公司11239 代理人: 孙刚
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种栽种山葵的方法,是在一般平地的温室场地内的栽种面积范围予以铺设有砾石,其中砾石为直径在1-7公分,并经清洗表面及消毒内部,使其栽种场地所铺设的砾石厚度在30-80公分,而砾石场地上方及四周并架设有管路、风扇、感应器,使其连结到感应控制系统,再将经无菌组织栽培出的山葵育苗栽种在砾石场地,定时、定量地喷洒纯净水分,且整个场地维持在14-24℃温度及70-100%湿度、以形成如同处在具湿荫且寒冷的天然环境,再定时、定量地喷洒经调配过的养料来在无虫害、无重金属成份农药的条件中成长;待收成之后,得将砾石场地予以做清洗并消毒,之后使其重新铺设以为再做栽种使用该场地,是达到短时间即可再利用栽种的目的。
搜索关键词: 栽种 方法
【主权项】:
一种栽种山葵的方法,其特征在于:所述方法在一般平地的温室场地内的栽种面积范围予以铺设有砾石,其中砾石为直径在1?7公分,并经清洗表面及消毒内部,使其栽种场地所铺设的砾石厚度在30?80公分,而砾石场地上方及四周并架设有连结到感应控制系统的管路、风扇和感应器,再将经无菌组织栽培出的山葵育苗栽种在砾石场地中,配合感应控制系统以定时、定量地喷洒纯净水分,且在风扇吹动造成凉冷气流的不断移动情形下,使整个场地维持在14?24℃温度及70?100%湿度的环境,再由感应控制系统以定时、定量地喷洒经调配过的养料来供山葵在无虫害、无重金属成份农药的条件中成长;待山葵在成长并予收成之后,得将原先已栽种过的砾石场地予以做清洗并消毒,之后使其重新铺设以为再做栽种使用以达到短时间即可再利用栽种的目的。
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