[发明专利]射频LDMOS器件及工艺方法在审
| 申请号： | 201310726987.0 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104752500A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 慈朋亮;李娟娟;钱文生;刘冬华;胡君;段文婷;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种射频LDMOS器件，在P型衬底上的P型外延中具有体区及N型轻掺杂漂移区，外延表面具有LDMOS器件的多晶硅栅极及法拉第屏蔽层，所述的N型漂移区是分成上下两层，下层的N型漂移区浓度高于上层，在两层N型漂移区的交界处还具有两段式的P型埋层，该结构的射频LDMOS器件具有较低的输出电容。本发明还公开了所述的射频LDMOS器件的工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 ldmos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种射频LDMOS器件，在P型衬底上具有P型外延，所述P型外延中具有P型体区，以及位于P型体区中的重掺杂P型区和所述射频LDMOS器件的源区；所述P型外延中还具有射频LDMOS的漂移区，漂移区中具有所述LDMOS器件的漏区；所述P型体区与轻掺杂漂移区之间的硅表面具有栅氧及覆盖在栅氧之上的多晶硅栅极；多晶硅栅极之上覆盖氧化硅介质层及法拉第屏蔽层；在P型体区远离漂移区的一侧具有穿通外延层且其底部位于P型衬底的钨塞，钨塞上端连接所述重掺杂P型区；其特征在于：所述漂移区是分为浓度不同的下层的第一漂移区和上层的第二漂移区，且在第一漂移区和第二漂移区的上下交界处具有两段式P型埋层。
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