[发明专利]一种太阳能硅片的清洗方法在审
申请号: | 201310726922.6 | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN104752551A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 张林;田小让;毛卫平;谷士斌;赵冠超;杨荣;郭铁;孟原 | 申请(专利权)人: | 新奥光伏能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 065001 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种太阳能硅片的清洗方法,包括对太阳能硅片进行RCA清洗,RCA清洗包括对太阳能硅片进行预清洗使得硅片表面产生氧化后,进行刻蚀处理;其中,采用双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对太阳能硅片进行刻蚀处理。该清洗方法,在对太阳能硅片进行RCA清洗时,采用双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对经过预清洗后的太阳能硅片进行刻蚀处理,利用硅片与双氧水、氢氟酸和水的混合溶液的界面化学变化,促进对硅片表面进行微刻蚀,从而降低硅片表面的金属污染,进而降低硅片表面的金属原子与硅片中的少子的复合,提高太阳能硅片中少子的寿命,从而提高太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能硅片的清洗方法,包括对太阳能硅片进行RCA清洗,其特征在于,所述RCA清洗包括:对太阳能硅片进行预清洗使得硅片表面产生氧化后,进行刻蚀处理;其中,采用双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对太阳能硅片进行刻蚀处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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