[发明专利]薄膜体声波谐振器在审
| 申请号： | 201310726314.5 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104753493A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 胡念楚;杨清华;周冲 | 申请（专利权）人： | 贵州中科汉天下电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)11370 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 556000 贵州省黔东南苗族侗族自治州凯*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜体声波谐振器，包括基底，该基底具有腔体结构；下电极层，该下电极层形成在所述基底之上并遮盖至少部分所述腔体结构；所述腔体结构与所述下电极层共同组成空腔；压电层，该压电层形成在所述下电极层之上；上电极层，该上电极层形成在所述压电层之上；导热介质层，该导热介质层覆盖所述基底的上表面，并与所述下电极层、所述压电层、所述上电极层三者中的至少一个形成接触。与传统的薄膜体声波谐振器相比，本发明所提供的薄膜体声波谐振器在不增加器件面积的前提下具有更优的功率承受能力。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 | ||
【主权项】：
一种薄膜体声波谐振器，该薄膜体声波谐振器包括：基底，该基底具有腔体结构；下电极层，该下电极层形成在所述基底之上并遮盖至少部分所述腔体结构；所述腔体结构与所述下电极层共同组成空腔；压电层，该压电层形成在所述下电极层之上；上电极层，该上电极层形成在所述压电层之上；导热介质层，该导热介质层覆盖所述基底的上表面，并与所述下电极层、所述压电层、所述上电极层三者中的至少一个形成接触。
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