[发明专利]一种发光二极管装置在审
| 申请号： | 201310722507.3 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103681629A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 谢毅勳 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有静电放电防护功能的发光二极管装置，包括：基板和发光二极管芯片。发光二极管芯片包含：N型半导体层，位于基板的上方，其内部包含多个带负电荷的自由电子；P型半导体层，位于N型半导体层的上方，其内部包含多个带正电荷的空穴；N型焊垫，与N型半导体层的上表面直接接触；P型焊垫，与P型半导体层的上表面直接接触，两焊垫分别位于基板的相对两侧；以及屏蔽组件，位于两焊垫之间，用以抵消因静电放电所产生的电场。相比于现有技术，本发明不仅可提升发光二极管芯片的抗静电放电能力，而且比并联齐纳二极管方式的架构提升发光二极管亮度5%以上。此外，本发明还可提升发光二极管的机械强度并降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 装置 | ||
【主权项】：
一种具有静电放电防护功能的发光二极管装置，其特征在于，该发光二极管装置包括：一基板；以及一发光二极管芯片，包含：一N型半导体层，位于所述基板的上方，所述N型半导体层的内部包含多个带负电荷的自由电子；一P型半导体层，位于所述N型半导体层的上方，所述P型半导体层的内部包含多个带正电荷的空穴；一N型焊垫，位于所述N型半导体层的上方，且与所述N型半导体层的上表面相接触；一P型焊垫，位于所述P型半导体层的上方，且与所述P型半导体层的上表面相接触，所述N型焊垫和所述P型焊垫分别位于所述基板的相对两侧；以及一屏蔽组件，位于所述N型焊垫和所述P型焊垫之间，用以抵消因静电放电所产生的电场，从而对所述发光二极管装置进行静电放电防护。
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