[发明专利]一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310717874.4 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103682095B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 黄如;李强;蔡一茂;刘业帆;潘岳;余牧溪 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器包括：顶电极、底电极以及二者之间的功能层；其中，功能层包括第一氧化层和第二氧化层；第一氧化层为靠近顶电极的完全配比的氧化层；第二氧化层为靠近底电极的非完全配比的氧化层。本发明采用分两次淀积功能层，形成具有氧组分不同的两层氧化层的功能层，靠近顶电极为完全配比的氧化层，而靠近底电极为非完全配比的氧化层；在顶电极与完全配比的氧化层之间势垒会明显提高，电子只能靠肖特基发射实现导电，低阻态具有非线性，器件具有选择特性。本发明在有效抑制误读现象的情况下，无需串联专门的选择管，工艺简单，成本低；并且与现有工艺兼容，有利于大规模工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 选择 特性 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有选择特性阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器包括：顶电极(1)、底电极(4)以及在二者之间的功能层；其中，功能层包括第一氧化层(2)和第二氧化层(3)；所述第一氧化层(2)为靠近顶电极的完全配比的氧化层；所述第二氧化层(3)为靠近底电极的非完全配比的氧化层；功能层采用氧化钽，靠近顶电极的第一氧化层(2)氧组分充足，形成完全配比的Ta2O5氧化层，靠近底电极的第二氧化层(3)氧组分不足，形成非完全配比的TaOx氧化层；其中x为氧与钽的原子数比；在顶电极与完全配比的氧化层之间势垒提高，电子只能靠肖特基发射实现导电，具有选择特性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310717874.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
