[发明专利]在多晶硅栅电极中具有金属填充的凹槽的半导体器件有效
| 申请号： | 201310717033.3 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103811555B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | O·布兰克;R·西米尼克;L·J·叶 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马丽娜,徐红燕 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在多晶硅栅电极中具有金属填充的凹槽的半导体器件。一种半导体器件，包括半导体衬底、衬底中的第一导电类型的体区、毗邻体区的与第一导电类型相反的第二导电类型的源极区、以及延伸至毗邻源极区和体区的衬底中的沟槽。该沟槽包含与衬底绝缘的多晶硅栅电极。该器件进一步包括衬底上的介电层、位于介电层上并覆盖衬底的一部分的栅极金属化层以及位于介电层上并电连接至源极区的源极金属化层。源极金属化层与栅极金属化层间隔开，且与栅极金属化层相比，源极金属化层覆盖衬底的不同部分。多晶硅栅电极中的金属填充的凹槽电连接至栅极金属化层并沿着源极金属化层的至少一部分下方的沟槽的长度延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电极 具有 金属 填充 凹槽 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；衬底中的第一导电类型的体区；毗邻体区的与第一导电类型相反的第二导电类型的源极区；延伸至毗邻源极区和体区的衬底中的沟槽，该沟槽包含与衬底绝缘的多晶硅栅电极；衬底上的介电层；位于介电层上并覆盖衬底的一部分的栅极金属化层；位于介电层上并电连接至源极区的源极金属化层，该源极金属化层与栅极金属化层间隔开且与栅极金属化层相比，源极金属化层覆盖衬底的不同部分；以及位于多晶硅栅电极中并电连接至栅极金属化层的金属填充的凹槽，该金属填充的凹槽沿着源极金属化层的至少一部分下方的沟槽的长度延伸，其中金属填充的凹槽的截面积在金属填充的凹槽的长度的一部分上减小使得由具有减小的截面积的金属填充的凹槽的该部分形成电阻器。
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