[发明专利]一种高比容低压铝电解电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310710685.4 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103680978B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 宋晔;吕惠玲;曹刘;朱绪飞 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/145 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高比容低压铝电解电容器及其制备方法。即采用氧化钛纳米管阵列膜作为阴极，替代传统铝电解电容器的腐蚀铝箔阴极，并采用传统铝电解电容器类似的生产工艺、工作电解液和老化工艺，制备电容器。由于氧化钛阴极强度大、厚度薄、比容高，在电容器体积相同的情况下，可以增加阳极铝箔的面积，从而提高电容器的比容。这种方法可以提高低压铝电解电容器比容达50%以上；而且氧化钛阴极是在钛箔基体上通过阳极氧化直接形成的，与钛基体的结合力强，不会有氧化钛膜从基体上脱落的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 比容 低压 铝电解电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高比容低压铝电解电容器，其特征在于所述电容器的阴极为钛箔，其上设置氧化钛纳米管阵列膜，所述电容器的阳极为高比容低压赋能铝箔，所述的钛箔厚度为10μm。
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