[发明专利]底部抗反射涂层的涂覆方法在审
| 申请号： | 201310705829.7 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104733290A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种底部抗反射涂层的涂覆方法，至少包括以下步骤：S1：提供一表面形成有氮化物层的基板，将所述基板放置于一旋转的载物台上；S2：在所述氮化物层表面涂布或喷淋碳酸水溶液；所述碳酸水溶液与所述氮化物层表面释放的物质反应并被所述载物台甩掉；S3：在所述氮化物层上表面形成一底部抗反射涂层。本发明通过首先在氮化物层表面涂布碳酸水溶液，碳酸水溶液中的碳酸与氮化层释放出来的基本成分反应，从而保护后续形成底部抗反射涂层不被这些释放的物质污染，即使经过长时间的排队，产生的缺陷数目也大大减少，有利于提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 底部 反射 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种底部抗反射涂层的涂覆方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一表面形成有氮化物层的基板，将所述基板放置于一旋转的载物台上；S2：在所述氮化物层表面涂布或喷淋碳酸水溶液；所述碳酸水溶液与所述氮化物层表面释放的物质反应并被所述载物台甩掉；S3：接着在所述氮化物层上表面形成一底部抗反射涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
