[发明专利]适用于电动汽车逆变器的IGBT模块及封装方法和使用方法有效
申请号: | 201310703298.8 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103745962B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 张兴春;王向炜;孙辉 | 申请(专利权)人: | 联合汽车电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L23/367;H01L21/60 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种适用于电动汽车逆变器的IGBT模块,IGBT芯片的集电极与厚度超过IGBT芯片短边长度的第一铜块焊接,IGBT芯片的发射极通过第二铜块引出,控制极通过绑定线引出;第二铜块通过高导热率的导热导电缓冲层与第三铜块连接。本发明还公开IGBT模块的封装方法和使用方法,IGBT模块通过绝缘导热垫片压在冷却板上,其中IGBT芯片与冷却板相互垂直。本发明通过增加IGBT直接焊接处的铜厚实现热容增加,利用铜的高导热率和高热容实现短时间内吸收大量热量,降低瞬态热阻,增加峰值电流能力;此外通过铜层的热扩散,增大散热面积和双面冷却实现热阻降低,而且利用一块冷却板实现双面冷却,降低了机械结构复杂度以及成本。 | ||
搜索关键词: | 适用于 电动汽车 逆变器 igbt 模块 封装 方法 使用方法 | ||
【主权项】:
一种适用于电动汽车逆变器的IGBT模块,其特征在于,所述IGBT模块为包括上半桥IGBT和下半桥IGBT的半桥IGBT模块,所述上半桥IGBT和下半桥IGBT包括数量相同的IGBT芯片;所述上半桥IGBT的所有IGBT芯片的集电极均与一个第一铜块焊接,所述第一铜块的厚度超过IGBT芯片的短边长度,所有IGBT芯片的发射极均通过一个第二铜块引出,其它控制极通过绑定线引出;所述下半桥IGBT的所有IGBT芯片的集电极均与另一个第一铜块焊接,所述第一铜块的厚度超过IGBT芯片的短边长度,所有IGBT芯片的发射极均通过另一个第二铜块引出,其它控制极通过绑定线引出;上半桥IGBT的发射极与下半桥IGBT的集电极连接,下半桥IGBT的发射极与一个第三铜块连接。
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