[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列基板包括板内选通驱动器（GIP），GIP包括位于基板上的第一布线、覆盖第一布线的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的第二布线、覆盖第二布线的第二绝缘膜、位于第二绝缘膜上的第三绝缘膜、露出第一布线和第二布线的第一接触孔和第二接触孔、以及第三绝缘膜上的用于第一布线和第二布线的连接的第三布线。第三绝缘膜包括与第一接触孔和第二接触孔相对应的第一区域、在第一厚度范围内的与第一接触孔和第二接触孔之间的区域相对应第二区域、以及第二厚度范围内的剩余的第三区域，第一厚度范围中的最小值大于第二厚度范围中的最大值。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括与显示区域相对应的单元阵列和与所述显示区域周围的非显示区域的部分区域相对应的板内选通驱动器GIP，其中，所述GIP包括：第一布线，其形成在基板上；第一绝缘膜，其形成在所述基板上以覆盖所述第一布线；第二布线，其形成在所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，其形成在所述第一绝缘膜上以覆盖所述第二布线；第三绝缘膜，其形成在所述第二绝缘膜上；第一接触孔，其穿过所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜，以露出所述第一布线的一部分；第二接触孔，其穿过所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜，以露出所述第二布线的一部分；以及第三布线，其形成在所述第三绝缘膜上，以通过所述第一接触孔和所述第二接触孔将所述第一布线和所述第二布线彼此连接，其中，在所述非显示区域的所述部分区域中，所述第三绝缘膜包括第一区域、第二区域和第三区域，在所述第一区域中，所述第三绝缘膜被去除以与所述第一接触孔和所述第二接触孔相对应，所述第二区域与所述第一接触孔和所述第二接触孔之间的间隙区域相对应，所述第二区域在第一厚度范围内，并且所述第三区域是除了所述第一区域和所述第二区域之外的剩余区域，所述第三区域在与所述第一厚度范围不同的第二厚度范围内，并且其中，所述第一厚度范围中的最小值大于所述第二厚度范围中的最大值。