[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201310697882.7 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733307A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域半导体衬底表面形成有第一初始鳍部，所述第二区域半导体衬底表面形成有第二初始鳍部；形成横跨第一初始鳍部的第一伪栅、横跨第二初始鳍部的第二伪栅；形成覆盖所述半导体衬底、第一初始鳍部和第二初始鳍部的牺牲层；采用第一刻蚀工艺，去除所述第一伪栅形成第一凹槽，去除所述第二伪栅形成第二凹槽；采用第二刻蚀工艺，去除位于第二凹槽底部的部分厚度的第二初始鳍部，且形成具有第二高度的第二鳍部。本发明形成的半导体器件具有不同高度的鳍部，满足不同器件的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域半导体衬底表面形成有第一初始鳍部，所述第二区域半导体衬底表面形成有第二初始鳍部，且所述第一初始鳍部和第二初始鳍部均具有第一高度；形成横跨第一初始鳍部的第一伪栅、横跨第二初始鳍部的第二伪栅；形成覆盖所述半导体衬底、第一初始鳍部和第二初始鳍部的牺牲层；采用第一刻蚀工艺，去除所述第一伪栅形成第一凹槽，去除所述第二伪栅形成第二凹槽；采用第二刻蚀工艺，去除位于第二凹槽底部的部分厚度的第二初始鳍部，形成第三凹槽，且形成具有第二高度的第二鳍部；形成位于第一初始鳍部表面、且位于第一凹槽内的第一栅极结构，形成位于第二鳍部表面、且位于第三凹槽内的第二栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
