[发明专利]一种采用混合果糖粘贴硅片的硅抛光方法

摘要

本发明公开了一种采用混合果糖粘贴硅片的硅抛光方法。它的步骤如下：将葡萄糖与麦芽糖混合，加热，得到混合糖浆溶液；将抛光盘放在加热装置上预热到75℃；将混合糖浆溶液滴到转动的抛光盘上，使糖浆溶液均匀覆盖整个抛光盘上表面；将待抛光硅片贴在抛光盘设定位置上，用橡胶模块挤压待抛光硅片，使待抛光硅片下表面的混合糖浆溶液厚度分布均匀；再在待抛光硅片上加压，冷却；用抛光液输送装置将抛光液输送到抛光机工作台上，在抛光机工作台上对待抛光硅片进行抛光，再置于热水溶液中超声，使已抛光的硅片从抛光盘上分离。本发明具有应用范围广、工艺简单、硅片抛光去厚一致性好、低成本和环保节能的特点。

主权项

一种采用混合果糖粘贴硅片的硅抛光的方法，其特征在于它的步骤如下： 1)将重量百分比为1～3：3的葡萄糖与麦芽糖混合，加热至155～165℃，边加热边搅拌使其完全融化，得到混合糖浆溶液（3）；2)将抛光盘（2）放在加热装置上预热到75℃；3)将混合糖浆溶液（3）滴到转速为1400～1600转/分的抛光盘（2）上，使糖浆溶液（3）均匀覆盖整个抛光盘（2）上表面；4)将待抛光硅片（4）贴在抛光盘上，用橡胶模块挤压待抛光硅片（4），使待抛光硅片（4）下表面的混合糖浆溶液（3）厚度分布均匀；5)再在待抛光硅片（4）上加压，压力为0.2MP，加压时间为4～8分钟，冷却至35℃，使硅片牢固地粘贴在抛光盘（2）上；6)用抛光液输送装置（1）将抛光液输送到抛光机工作台（5）上，在抛光机工作台（5）上对待抛光硅片（4）上表面采用抛光液进行化学机械抛光，抛光温度为35～45℃，抛光液pH值为8.7～9.7，待抛光硅片（4）去除厚度达到10～20微米后停止抛光，用纯水冲洗，去除抛光硅片表面残留抛光液，再置于60～70℃的热纯水溶液中超声清洗10～20分钟，使已抛光的硅片从抛光盘上分离。