[发明专利]一种制造黑硅材料的方法

摘要

本发明实施例公开了一种制造黑硅材料的方法，包括：在硅衬底上形成掩膜层；在掩膜层上光刻形成预定图形通孔阵列；对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底上形成预定图形凹槽阵列；从硅衬底上去除掩膜层；将硅衬底置于含硫气体中，并用激光脉冲辐照所述硅衬底，获得黑硅材料。本发明的实施例的方法中，在含硫气体环境中使用高能激光对硅衬底上周期性阵列结构进行辐照，形成微纳双重结构，并且在辐照过程中同时实现了硫元素掺杂。这样获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展，吸收率更高，吸收波长范围更大；并且工艺步骤简单。

主权项

一种制造黑硅材料的方法，其特征在于，包括：在硅衬底上形成掩膜层；在所述掩膜层上光刻形成预定图形通孔阵列，获得图形掩膜硅衬底；对所述图形掩膜硅衬底进行刻蚀，在所述硅衬底上形成预定图形凹槽阵列；从所述硅衬底上去除所述掩膜层；将所述硅衬底置于含硫气体中，并用激光脉冲辐照所述硅衬底，获得所述黑硅材料。