[发明专利]一种制备特定失效点透射电子显微镜平面样品的方法有效
申请号: | 201310692024.3 | 申请日: | 2013-12-17 |
公开(公告)号: | CN103698179A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 李剑;郭伟;仝金雨;李桂花 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明一种制备特定失效点透射电子显微镜平面样品的方法,采用聚焦离子束截取样品上失效位置附近一块样品,通过Pick-Up系统将截取的样品吸起并竖直放立在硅片表面,用聚焦离子束镀金的方法将样品固定在硅片表面后制备成透射显微镜平面样品。本发明通过聚焦离子束精确截取样品,省去了人工研磨的过程,大大提高了样品制备的成功率和样品的质量,对后续的失效分析和结构分析提供了极大的帮助。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 特定 失效 透射 电子显微镜 平面 样品 方法 | ||
【主权项】:
一种制备特定失效点透射电子显微镜平面样品的方法,包括:步骤一,将带有特定失效点的硅片水平放置在聚焦离子束机台的样品台上,在所述硅片上制作特定失效点标记,对所述硅片的特定失效点进行定位;步骤二,调整所述样品台角度,使所述硅片与聚焦离子束不垂直,用聚焦离子束轰击所述硅片形成第一斜切口;步骤三,调整所述样品台角度,使所述硅片与聚焦离子束垂直,用聚焦离子束轰击所述硅片,在所述硅片上形成U型垂直切口,所述U型垂直切口的U型两端分别与所述第一斜切口相交形成闭合的目标区域,所述硅片的特定失效点位于所述目标区域内,轰击所述U型垂直切口直到所述目标区域与所述硅片分割开,得到包含特定失效点的目标样品;步骤四,将所述目标样品从聚焦离子束机台拿出,将所述目标样品放在所述硅片上,保证所述目标样品的特定失效点所在面与所述硅片表面垂直;步骤五,将放有所述目标样品的硅片放到聚焦离子束机台中,用聚焦离子束镀金方法将所述目标样品与所述硅片固定后进行平面制样。
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