[发明专利]半导体衬底的接合方法以及由此得到的器件

摘要

本发明涉及半导体衬底的接合方法以及由此得到的器件。根据本发明，提供一种使用低温热压的将第一半导体衬底（1）接合到第二半导体衬底（2）的方法。该接合方法包括在热压接合步骤前，原位地机械摩擦金属接触结构表面（3），从而平坦化并去除金属接触结构表面（3）上的氧化物和/或污染物。在热压接合步骤之后是热退火步骤，用于创建所述第一半导体衬底（1）和第二半导体衬底（2）的金属接触结构3之间的界面扩散。

主权项

1.一种用于将第一衬底热压接合到第二衬底的方法，所述方法包括：提供第一衬底(1)和第二衬底(2)，其中每个衬底在其表面上包括至少一个金属接触结构(3)；平坦化所述至少一个金属接触结构(3)的表面；定位所述第二衬底(2)接近于所述第一衬底(1)，从而对准所述至少一个金属接触结构(3)并且使对准的金属接触结构的金属表面相接触，其中氧化物和污染物存在于所述金属接触结构的表面；将所述第一衬底(1)的所述至少一个金属接触结构(3)的表面对着所述第二衬底(2)的所述至少一个金属接触结构(3)的表面机械摩擦，从而通过将所述氧化物和污染物从所述金属表面移除来清洁所述金属表面，所述机械摩擦是原位圆形运动软摩擦；使用热压接合步骤，将经机械清洁的所述第一衬底(1)接合到所述经机械清洁的第二衬底(2)，从而形成半导体衬底叠层(7)；热退火所述半导体衬底叠层(7)，从而形成所述第一衬底(1)和第二衬底(2)的所述至少一个金属接触结构(3)之间的界面扩散。