[发明专利]一种刻蚀速率均一度的监测方法及装置有效
| 申请号： | 201310688786.6 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103715113A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘轩;丁欣;张巍;韩勉;钟亮;刘祖宏;吴代吾;侯智 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01J37/244 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 230012 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀速率均一度的监测方法和装置，以实现实时对腔体内等离子体刻蚀速率均一度的监测。所述方法包括：在刻蚀过程中，实时采集刻蚀的反应腔体内反应物或生成物的光谱信号的强度值；根据所述光谱信号的强度值，确定所述反应物或生成物光谱信号的强度值变化阶段对应的起始时间和终止时间；根据所述起始时间、终止时间以及预设的被刻蚀膜层的厚度，确定刻蚀速率的最大值和最小值；根据所述刻蚀速率的最大值和最小值确定刻蚀速率的均一度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 速率 均一 监测 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种刻蚀速率均一度的监测方法，其特征在于，包括以下步骤：在刻蚀过程中，实时采集刻蚀的反应腔体内反应物或生成物的光谱信号的强度值；根据所述光谱信号的强度值，确定所述反应物或生成物光谱信号的强度值变化阶段对应的起始时间和终止时间；根据所述起始时间、终止时间以及预设的被刻蚀膜层的厚度，确定刻蚀速率的最大值和最小值；根据所述刻蚀速率的最大值和最小值确定刻蚀速率的均一度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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