[发明专利]集成麦克风的结构和方法有效
| 申请号: | 201310686811.7 | 申请日: | 2013-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN104053082B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
| 发明(设计)人: | 彭荣辉;朱家骅;黄耀德;卓晋逸;洪丽闵;郑钧文 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H04R1/08 | 分类号: | H04R1/08 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种集成麦克风结构的一个实施例。集成麦克风结构包括图案化为第一板的第一硅衬底;形成在第一硅衬底的一侧面上的氧化硅层;第二硅衬底以及膜件,其中,第二硅衬底通过氧化硅层接合至第一衬底,从而使氧化硅层夹在第一和第二硅衬底之间,膜件固定在氧化硅层上且设置在第一和第二硅衬底之间,其中,第一板和膜件被配置为形成电容麦克风。本发明还公开了集成麦克风的结构和方法。 | ||
| 搜索关键词: | 集成 麦克风 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种集成麦克风结构,包括:第一硅衬底,被图案化为第一板;氧化硅层,形成在所述第一硅衬底的第一侧面上;第二硅衬底,通过所述氧化硅层接合至所述第一硅衬底,从而使所述氧化硅层夹在所述第一硅衬底和所述第二硅衬底之间;以及膜件,固定在所述氧化硅层上并且被配置在所述第一硅衬底和所述第二硅衬底之间,其中,所述第一板和所述膜件被配置为形成电容麦克风;其中,所述第一硅衬底还包括用于将所述电容麦克风与邻近的电路部件隔离开的隔离通孔,所述氧化硅层包括与所述隔离通孔对准的覆盖部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310686811.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:扬声器模组
- 下一篇:一种视频定位的方法及装置





