[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的实施例涉及半导体器件，在所述半导体器件中，隔离区域包括元件隔离膜和场板电极。场板电极覆盖元件隔离膜并且当在平面图中查看时围绕第一电路。场板电极的一部分也定位在连接晶体管上。当在平面图中查看时，连接晶体管的源极和漏极通过场板电极彼此相对。此外，场板电极划分成包括定位于连接晶体管上的部分的第一部分和除了第一部分外的第二部分。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；第一电路，其形成在所述衬底上，并且在所述第一电路中电源电势设置成第一电压；隔离区域，其形成在所述衬底上，并且当在平面图中查看时，除了所述第一电路的一部分之外，所述隔离区域围绕所述第一电路；第二电路，其形成在所述衬底上，并且当在平面图中查看时其定位在所述隔离区域的外侧处，并且在所述第二电路中电源电势设置成比所述第一电压低的第二电压；以及连接晶体管，其形成在所述衬底上，并且定位于所述第一电路的外周的不提供所述隔离区域的部分处，并且所述连接晶体管将所述第二电路连接到所述第一电路，其中所述隔离区域包括：元件隔离膜，以及场板电极，其叠置在所述元件隔离膜之上并且当在平面图中查看时围绕所述第一电路，并且所述场板电极定位于所述连接晶体管之上，其中当在平面图中查看时，所述连接晶体管的源极和漏极通过所述场板电极彼此相对，以及其中所述场板电极划分成第一部分和除了所述第一部分外的第二部分，所述第一部分包括定位于所述连接晶体管之上的部分。