[发明专利]一种切割槽形成可控硅穿通结构及其方法有效
| 申请号： | 201310682748.X | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103730488A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 耿开远;周建;刘宗贺;李建新 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种切割槽形成可控硅穿通结构及其方法，一种切割槽形成可控硅穿通结构包括划切槽、穿通区和P-短基区，穿通区位于该结构的四周，每个穿通区的上下部对称的设有划切槽，P-短基区位于该结构的上下两端，上端的P-短基区的上侧设有N+磷区，上端的P-短基区与穿通区之间设有玻璃钝化层，玻璃钝化层上侧设有台面槽。一种切割槽形成可控硅穿通结构的方法包括选材、氧化、光刻穿通槽、短基区扩散、光刻阴极和阴极扩散步骤，在光刻穿通槽与短基区扩散步骤之间增加有切割槽步骤，在阴极扩散步骤之后包括有光刻台面槽、化学腐蚀台面槽、玻璃钝化和正面蒸铝步骤。有益效果：生产效率高，生产过程快；少子寿命长，可控硅电压高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 形成 可控硅 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种切割槽形成可控硅穿通结构，其特征在于：该结构包括划切槽、穿通区和P‑短基区，所述穿通区位于该结构的四周，所述每个穿通区的上下部对称的设有划切槽，所述P‑短基区位于该结构的上下两端，上端的P‑短基区的上侧设有N+磷区，所述上端的P‑短基区与穿通区之间设有玻璃钝化层，所述玻璃钝化层上侧设有台面槽。
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