[发明专利]一种高屏蔽准平面传输线的制作方法无效

专利信息
申请号: 201310682647.2 申请日: 2013-12-12
公开(公告)号: CN103730712A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 马子腾;刘金现;阴磊;许延峰 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
主分类号: H01P11/00 分类号: H01P11/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 龚燮英
地址: 266555 山东省*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种高屏蔽准平面传输线的制作方法,包括步骤101、加工介质基片,预先在金属接地层位置形成通孔;步骤102、实现介质基片表面与通孔内的金属化膜层;步骤103形成共面波导图形,并电镀加厚,形成电镀层;步骤104、在导带上方形成绝缘介质层;步骤105、在介质层上方形成金属化膜层;步骤106、在介质层上方形成金属连接层,并电镀加厚,形成电镀层;步骤107、使用砂轮划切的方法分割成独立图形。采用上述方案,与波导、同轴线等传输线相比,制作工艺更为简单,更容易与普遍使用的微带线、共面波导等平面传输线相集成;与微带线、共面波导等平面传输线相比,更能够有效地避免信号串扰等平面传输线工作中所存在的问题。
搜索关键词: 一种 屏蔽 平面 传输线 制作方法
【主权项】:
一种高屏蔽准平面传输线的制作方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤101、采用激光切割的方法加工介质基片,预先在金属接地层位置形成通孔; 步骤102、采用真空溅射的方法实现介质基片表面与通孔内的金属化膜层; 步骤103、采用光刻工艺形成共面波导图形,并电镀加厚,形成电镀层; 步骤104、采用光刻工艺在导带上方形成绝缘介质层; 步骤105、采用真空溅射的方法在介质层上方形成金属化膜层; 步骤106、采用光刻工艺在介质层上方形成金属连接层,并电镀加厚,形成电镀层; 步骤107、使用砂轮划切的方法分割成独立图形。 
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十一研究所,未经中国电子科技集团公司第四十一研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310682647.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top