[发明专利]一种半导体激光器外延片及其制造方法无效
| 申请号： | 201310680552.7 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103715605A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 许并社;李学敏;马淑芳;田海军;吴小强 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学;山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体激光器外延片及其制造方法，本发明公开了一种半导体激光器件及其制备方法。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-AlxGa1-xAs渐变层，n-AlyGa1-yAs下限制层，AlzGa1-zAs下波导层，多个InGaAs量子阱层及相应的GaAsP势垒层，AlzGa1-zAs上波导层，p-AlyGa1-yAs上限制层，p-AlxGa1-xAs渐变层，p-GaAs顶层。空穴浓度的增加使得量子阱内电子与空穴的复合几率增加，器件效率得到提高。本发明提供了一种既能提高半导体激光器效率又能降低外延片制作成本的较为简单实用的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器外延片，其特征在于：所述外延片的结构：在n‑GaAs衬底上由下至上外延生长n‑GaAs缓冲层，n‑AlxGa1‑xAs渐变层，n‑AlyGa1‑yAs下限制层，AlzGa1‑zAs下波导层，多个InGaAs量子阱层及相应的GaAsP势垒层，AlzGa1‑zAs上波导层，p‑AlyGa1‑yAs上限制层，p‑AlxGa1‑xAs渐变层，p‑GaAs顶层；其中，p‑GaAs顶层首先采用CBr4作为掺杂源，后使用DMZn作为掺杂源。
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