[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310680445.4 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104051406A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 郑世杰;卢东宝 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一半导体结构包括：一装置；在所述装置上的一导电衬垫；及在所述导电衬垫上方的一Ag1-xYx合金凸块。所述Ag1-xYx凸块的Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且所述Ag1-xYx合金凸块之的X在0.005至0.25的一范围内。一个标准差与所述Ag1-xYx合金凸块的一粒径分布的一均值之间的一差异在0.2μm至0.4μm的一范围内。所述Ag1-xYx合金凸块在一纵向横截面平面上的一平均粒径在0.5μm至1.5μm的一范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包含：一装置；在所述装置上的一导电衬垫；及在所述导电衬垫上方的一Ag1‑xYx合金凸块，其中所述Ag1‑xYx凸块的Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且其中所述Ag1‑xYx合金凸块的X在0.005至0.25的一范围内。
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